中芯集成电路制造(绍兴)有限公司是中芯国际的合资公司。IGBT平台从2015年开始建立,着眼于最新一代场截止型 (FIELD STOP)IGBT结构,采用业界最先进及主流的背面加工工艺,包括TAIKO 背面减薄工艺、湿法刻蚀工艺、离子注入、背面激光退火及背面金属沉积工艺等。已完成整套深沟槽 (DEEP TRENCH)+薄片 (THIN WAFER)+场截止 (FIELD-STOP)技术工艺的自主研发,并相应推出600V~1200V 等器件工艺,技术参数可达到业界领先水平。
MEMS,MOSFET,IGBT
中芯集成电路制造(绍兴)有限公司DWWA、有机系废水回收水处理系统
1. DIW消耗量:20m³/H
2. ROW消耗量:50m³/H
3. UPW消耗量:200m³/H
4. LSW消耗量:80m³/H
● UPW电阻率 ≥18.2MΩ.CM@25℃
● 温度:23±1℃
● 压力 4-5MPA
● 8INCH SPEC.IN